清洗單晶硅用的純水對(duì)水質(zhì)的要求
清洗單晶硅用的純水對(duì)水質(zhì)的要求極為嚴(yán)格，具體體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：
1. 高純度：清洗單晶硅的純水中不能含有任何形式的雜質(zhì)，包括溶解性鹽類(lèi)、有機(jī)物、微生物以及顆粒物等。這些雜質(zhì)都可能對(duì)單晶硅的表面造成污染，進(jìn)而影響其電學(xué)性能和機(jī)械性能。因此，純水的純度必須達(dá)到非常高的標(biāo)準(zhǔn)，通常要求電阻率達(dá)到18兆歐以上。
2. 低離子濃度：水中的離子含量對(duì)單晶硅的清洗效果有重要影響。高離子濃度的水可能會(huì)導(dǎo)致單晶硅表面產(chǎn)生靜電吸附效應(yīng)，從而吸附更多的雜質(zhì)和顆粒物。因此，清洗單晶硅的純水中離子濃度必須非常低，以確保清洗效果。
3. 無(wú)微生物污染：微生物的存在可能會(huì)對(duì)單晶硅造成生物污染，影響其性能和可靠性。因此，清洗單晶硅的純水中不能檢出任何微生物，包括細(xì)菌、病毒等。
4. 適宜的溫度和pH值：清洗單晶硅時(shí)，純水的溫度和pH值也需要控制在適宜的范圍內(nèi)。過(guò)高的溫度可能會(huì)導(dǎo)致單晶硅表面發(fā)生氧化反應(yīng)，而過(guò)低的pH值可能會(huì)腐蝕單晶硅表面。因此，需要根據(jù)具體情況選擇合適的溫度和pH值。
5. 良好的水質(zhì)穩(wěn)定性：清洗單晶硅的純水必須具有良好的水質(zhì)穩(wěn)定性，即在使用過(guò)程中水質(zhì)不會(huì)發(fā)生變化。這要求純水設(shè)備具有先進(jìn)的處理技術(shù)和可靠的控制系統(tǒng)，以確保出水水質(zhì)的持續(xù)穩(wěn)定。
清洗單晶硅用的純水對(duì)水質(zhì)的要求非常高，需要采用先進(jìn)的超純水設(shè)備和技術(shù)來(lái)制取，以確保單晶硅表面的潔凈度和平整度，進(jìn)而保證后續(xù)加工和制成的產(chǎn)品質(zhì)量。同時(shí)，在使用過(guò)程中還需要嚴(yán)格控制純水的各項(xiàng)參數(shù)，以確保清洗效果和產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定可靠。
2024年11月19日
